연구 개발

제주반도체는 기술역량을 강화하고 있으며 미래 핵심기술의 선행개발을 통하여 세계적인 기술경쟁력을 확보하고 있습니다.
제주반도체의 연구개발 조직은 80% 이상이 10년 이상의 경력자로서 반도체 분야 최고의 전문가로 구성되어 있습니다. 창사 이래 지속적으로 이루어진 연구개발 인력의 확충과 집중적인 R&D 투자로 저전압 동작 기술, 고밀도 실장용 패키지 기술, 고속화에 따른 노이즈 경감화 기술 등의 성과를 이루어 냈으며, 이를 바탕으로 세계 유수의 Mobile Set 업체 및 메모리 업체로부터 당사의 기술력을 인정받고 있습니다.

연구개발 실적

주요 연구분야 개발년도 비고
4M SRAM 2000 ~ 2002 개발 및 양산개시
1M,2M,8M SRAM 2003.05 ~ 개발 및 양산개시
16M Pseudo SRAM 2003.09 ~ 개발
16M Pseudo SRAM 2004.05 ~ 양산개시
16M Pseudo SDRAM 2005.05 ~ 개발 및 양산개시
32M LP SDRAM 2006.04 ~ 개발
32M CRAM 1.5 2008.03 개발완료
모바일용 128M LP DDR DRAM 2008.06 개발완료
32M CRAM 1.5 2008.09 ~ 양산
16M CRAM 1.5 2008.10 개발완료
16M CRAM 1.5 2009.03 ~ 양산
64M CRAM 1.5 2009.06 개발완료
64M CRAM 1.5 2009.10 ~ 양산
모바일용 128M LP DDR DRAM 2009.12 ~ 양산
64M CRAM 2.0 2010.01 ~ 양산
SPI 64M Nor Flash 2011.03 ~ 개발진행
64M CRAM 2011.12 ~ 개발진행
64M CRAM 2012.12 양산
256M LPDDR1 2013.11 양산
NAND MCP 2013.11 양산
4M SPI NOR Flash 2014.05 양산
512M LPDDR1 2014.05 양산
2G LPDDR2 2014.07 개발
1G LPDDR1 2014.09 양산
128M T2M 2015.05 양산
64M OctaRAM 2015.12 개발
64M T2M 2016.03 개발
2G LPDDR2 2016 양산
128M OctaRAM 2016.01 개발
U2RAM 2017 개발
64M OctaRAM 2017 양산

연구개발 목표
- 차세대 초저전력 회로 및 Architecturing 기법 개발
- 고속 저전력 동작을 병행하는 회로 개발
- System 환경 변동 인자 및 소자 Process 변화에 Robust한 장치 개발
- 제품의 고양산성 및 고신뢰성 확보를 위한 Testability
- 제품 경쟁력 확보를 위한 배치 및 Layout 연구
- 다품종 소량 생산에 고효율성을 갖는 설계 기법 확보
- 수탁 가공 생산에 최적화된 효율을 갖는 제품 설계 및 생산 기법 연구
- Future Memory 회로 설계 기법 개발

공업소유권 현황

구분 국내 특허 해외 특허
등록 특허 17건 1건
출원 특허 26건 4건