제주반도체는 기술역량을 강화하고 있으며 미래 핵심기술의 선행개발을 통하여 세계적인 기술경쟁력을 확보하고 있습니다.
제주반도체의 연구개발 조직은 80% 이상이 10년 이상의 경력자로서 반도체 분야 최고의 전문가로 구성되어 있습니다. 창사 이래 지속적으로 이루어진 연구개발 인력의 확충과 집중적인 R&D 투자로 저전압 동작 기술, 고밀도 실장용 패키지 기술, 고속화에 따른 노이즈 경감화 기술 등의 성과를 이루어 냈으며, 이를 바탕으로 세계 유수의 Mobile Set 업체 및 메모리 업체로부터 당사의 기술력을 인정받고 있습니다.
연구개발 실적
| 주요 연구분야 | 개발년도 | 비고 |
| 4M SRAM | 2000년 ~ 2002년 | 개발 및 양산개시 |
| 1M,2M,8M SRAM | 2003년 | 개발 및 양산개시 |
| 16M Pseudo SRAM | 2003년 | 개발 |
| 16M Pseudo SRAM | 2004년 | 양산개시 |
| 16M Pseudo SDRAM | 2005년 | 개발 및 양산개시 |
| 32M LP SDRAM | 2006년 | 개발 |
| 32M CRAM 1.5 | 2008년 | 개발완료 |
| 모바일용 128M LP DDR DRAM | 2008년 | 개발완료 |
| 32M CRAM 1.5 | 2008년 | 양산 |
| 16M CRAM 1.5 | 2008년 | 개발완료 |
| 16M CRAM 1.5 | 2009년 | 양산 |
| 64M CRAM 1.5 | 2009년 | 개발완료 |
| 64M CRAM 1.5 | 2009년 | 양산 |
| 모바일용 128M LP DDR DRAM | 2009년 | 양산 |
| 64M CRAM 2.0 | 2010년 | 양산 |
| SPI 64M Nor Flash | 2011년 | 개발진행 |
| 64M CRAM | 2011년 | 개발진행 |
| 64M CRAM | 2012년 | 양산 |
| 256M LPDDR1 | 2013년 | 양산 |
| NAND MCP | 2013년 | 양산 |
| 4M SPI NOR Flash | 2014년 | 양산 |
| 512M LPDDR1 | 2014년 | 양산 |
| 2G LPDDR2 | 2014년 | 개발 |
| 1G LPDDR1 | 2014년 | 양산 |
| 128M T2M | 2015년 | 양산 |
| 64M OctaRAM | 2015년 | 개발 |
| 64M T2M | 2016년 | 개발 |
| 2G LPDDR2 | 2016년 | 양산 |
| 128M OctaRAM | 2016년 | 개발 |
| U2RAM | 2017년 | 개발 |
| 64M OctaRAM | 2017년 | 양산 |
| 128M OctaRAM | 2018년 | 양산 |
| 512M LPDDR2 | 2018년 | 개발 |
| 1G LPDDR2 | 2019년 | 개발 |
| 512Mb/1Gb LPDDR2 | 2020년 | 양산 |
| 1Gb LPDDR4 & 8Gb DDR4 | 2021년 | 개발 |
연구개발 목표
- 차세대 초저전력 회로 및 Architecturing 기법 개발
- 고속 저전력 동작을 병행하는 회로 개발
- System 환경 변동 인자 및 소자 Process 변화에 Robust한 장치 개발
- 제품의 고양산성 및 고신뢰성 확보를 위한 Testability
- 제품 경쟁력 확보를 위한 배치 및 Layout 연구
- 다품종 소량 생산에 고효율성을 갖는 설계 기법 확보
- 수탁 가공 생산에 최적화된 효율을 갖는 제품 설계 및 생산 기법 연구
- Future Memory 회로 설계 기법 개발
공업소유권 현황
| 구분 | 국내 특허 | 해외 특허 |
| 등록 특허 | 17건 | 1건 |
| 출원 특허 | 26건 | 4건 |